全球晶圓代工兩大巨頭近日陷入一場“竊密”風波。員工引發(fā)已泄

　　11月27日早間，跳槽臺積特英特爾方面在給第一財經(jīng)的激烈一份聲明中，對此前臺積電訴訟進行了回應。對峙電“公司有嚴格的密英公司政策與管控措施，嚴禁使用或轉(zhuǎn)移任何第三方的回擊保密信息或知識產(chǎn)權(quán)。我們高度重視并切實履行這些承諾。員工引發(fā)已泄”英特爾稱。跳槽臺積特

　　兩天前，激烈臺積電正式向法院提起訴訟，對峙電指控前資深副總經(jīng)理羅唯仁違反保密協(xié)議與競業(yè)禁止義務，密英涉嫌將2nm等先進制程機密泄露給英特爾?；負?/p>

　　臺積電在訴訟聲明中披露，員工引發(fā)已泄羅唯仁于2025年7月27日從公司退休，跳槽臺積特在臺積電工作期間主導EUV光刻技術(shù)導入。激烈據(jù)法務部門調(diào)查，2024年3月羅唯仁離開管理研發(fā)的企業(yè)策略發(fā)展部后，仍多次要求研發(fā)團隊提供先進制程資料，而在今年7月離職面談時，他明確告知將入職學術(shù)機構(gòu)，卻在10月底以執(zhí)行副總裁身份出現(xiàn)在英特爾員工名單中。

　　“這些營業(yè)秘密可能已被轉(zhuǎn)移至英特爾，其行為同時違反競業(yè)禁止協(xié)議?！迸_積電稱。

　　面對指控，英特爾方面連續(xù)兩日作出回應。26日，英特爾CEO陳立武在一場半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會頒獎典禮上反駁稱相關(guān)指控是“毫無根據(jù)的謠言”，強調(diào)英特爾“有嚴格政策禁止使用第三方知識產(chǎn)權(quán)”。隨后，英特爾發(fā)言人進一步指出，該公司18A制程采用RibbonFET晶體管與背面供電技術(shù)，與臺積電2nm工藝路線存在本質(zhì)差異，“無需借助外部技術(shù)數(shù)據(jù)”。

　　在業(yè)內(nèi)看來，英特爾的制程技術(shù)與臺積電存在多項本質(zhì)差異。此外，英特爾是高數(shù)值孔徑極紫外光刻（High-NA EUV）技術(shù)的早期采用者，而臺積電目前尚未布局該技術(shù)。

　　不過，作為臺積電在晶圓代工領(lǐng)域的老對手，當前正值英特爾業(yè)務發(fā)展的戰(zhàn)略關(guān)鍵期。

　　在不久前舉行的2025英特爾技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)生態(tài)大會中，英特爾宣布，Intel 18A工藝已在美國亞利桑那州工廠啟動大規(guī)模量產(chǎn)，采用RibbonFET（全環(huán)繞柵極）晶體管與PowerVia（背面供電）技術(shù)，晶體管密度較上一代提升30%，相同能耗下性能提升15%。

　　這一技術(shù)被外界視為這家美國芯片巨頭打破臺積電技術(shù)壟斷的核心抓手。

　　Counterpoint數(shù)據(jù)顯示，2025年第二季度全球純晶圓代工行業(yè)營收同比增長33%，核心驅(qū)動力就是先進工藝在AI GPU領(lǐng)域的應用。若英特爾無法在未來1-2年內(nèi)將18A制程良率提升至商業(yè)化水平，技術(shù)先發(fā)優(yōu)勢將被臺積電、三星的成熟產(chǎn)能吞噬，徹底失去高端代工市場的入場資格。這也是英特爾招攬羅唯仁的核心原因，希望借助他的行業(yè)經(jīng)驗加速技術(shù)落地，本質(zhì)是與時間賽跑。

　　根據(jù)公開資料，現(xiàn)年75歲的羅唯仁擁有美國加州大學伯克利分校固態(tài)物理與表面化學博士學位，曾在英特爾擔任先進技術(shù)制造廠CTM廠長，2004年7月加入臺積電，最初擔任營運組織副總經(jīng)理，2006年至2009年出任研發(fā)副總經(jīng)理，后升任先進技術(shù)事業(yè)及營運組織制造技術(shù)副總經(jīng)理。2025年7月27日正式退休，較公司限定67歲退休年齡延退8年，也是臺積電歷任副總級退休年紀最高者。

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